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热处理温度对电致变色玻璃用W03薄膜性能的影响
WO。具有高的着色效率、良好的循环稳定性、较低的能量消耗、良好的记忆效应和高的颜色对比率[11等优点,使得WO。作为阴极电致变色材料而被广泛研究。常见的WO。薄膜制备方法有真空沉积‘2‘、电沉积‘引、水热合成法‘43以及溶胶一凝胶法‘5|,其中溶胶一凝胶法具有设备简单、反应温度低、成本低和适合大面积制膜等特点。WO。薄膜可以分为晶态和非晶态两种。通常在室温下制得的是非晶态膜(a-WO。),在一定温度下热处理之后,可获得晶态膜(c—WO。)。其中晶态和非晶态WO。膜都具有电致变色效应。a—WO。膜是以吸收光波为主进行光透射性能的调节,尤其是在近红外区域;而c—WO。膜是以反射光波为主进行光透射性能的调节,尤其在红外区有很高的反射率。
目前,对W0s的研究主要集中在a-WO。膜上,它具有响应速度快、变色范围宽、致色深和循环可逆性好等优点[6'9]。采用溶胶一凝胶法制备WO。薄膜时,影响晶型的因素主要有热处理温度等。本研究以金属钨粉和30%H:O。为原料,采用过氧化聚钨酸法制备WO。溶胶,在ITO导电玻璃基体上采用旋涂
法制备WO。薄膜。主要探讨了退火温度对WO。薄膜结构与电变色性能、响应时间和循环稳定性的影响。
1 实验部分
1.1样品的制备
将适量的30%H:O:通过酸式滴定管缓慢滴入到装有一定量金属钨粉的三口烧瓶中,同时置于冰水浴中并搅拌溶液,4~5h后,溶液呈现乳白色,然后将乳白色液体放人离心机中,在2000r/min的转速下离心10min后经过滤得到纯净的WO。透明水溶液,之后将无水乙醇加入到制备所得的钨酸溶液中,混合均匀后置于烧杯中,在45~50℃加热搅拌,除去过量的H。O。静置24h;将ITO导电玻璃(天津耀皮工程玻璃有限公司)进行蒸馏水、无水乙醇各超声清洗25min,二次蒸馏水超声清洗30min,冲洗3遍,放置恒温箱中用滤纸封口并于60℃干燥,采用浸渍提拉法将ITO导电玻璃以不同的提拉速度提拉镀膜,制成W0。薄膜。
1.2样品的表征
采用多晶X射线衍射仪(XRD,Rigaku D/max-2500v/pc型)对粉体进行物相分析;采用热场扫描电子显微镜(SEM,S-4800型,日本Hitachi公司)对试样进行微观结构分析;采用综合热分析仪(TGDSC,STA409PC型)对试样进行分析;采用双光束紫外一可见分光光度计(TU一1901型)进行电致变色后紫外一可见透射光谱(UV—Vis)的测量;采用电化学工作站(CHl660C型)进行工作电极的循环伏安(CV)曲线测试。
2结果与讨论
2.1退火温度对WO,物相的影响
WO。干凝胶的TG—DSC曲线如图1(a)所示。
由图可知,升温到240℃前,有持续失重现象,并在60℃时吸热速率达到最大值,这是由于前驱体中多余乙醇、H:O和H:O:等小分子的失去所导致的。为了防止因温度快速升高导致薄膜出现微裂纹,所以控制升温速度为2℃/min,并在达到质量损失速率最大点60℃时保温30min后继续加热。这样可以得到表面均匀且致密的wO。薄膜。从图中还可以看出,从312℃时开始出现结晶失重,在345℃时失重率达最大。图1(b)是不同退火温度下WO。薄膜的XRD谱图。由图可知,随着退火温度的升高,衍射峰逐渐尖锐,晶化程度越来越高。在280℃时峰形呈弥散状,衍射峰不明显,WO。为非晶态。在320℃时主
相以非晶态为主,开始出现尖锐小峰,在350℃时晶化程度已经非常明显,具有尖锐的衍射峰。要得到非晶态的WO。薄膜,烧结温度需低于这个温度。
2.2退火温度对w03薄膜变色性能的影响
WO。薄膜经过不同温度热处理后,在240℃、280℃时完全属于非晶态,320。C时已经出现晶态趋势。不同的微观结构导致电致变色性能的差异,最主要的差异表现在薄膜在可见光范围内透射光谱的变化。图2(a)显示了不同退火温度下薄膜的着一褪色透过率变化情况。
薄膜的电致变色性能根据其在褪色/着色前后透光率的光密度变化量可以更直观地反映出来。光密度变化量(△0D)可由式(1)计算:
△OD—l。g了Tb (1)
』C
式中,n为褪色态下的透光率,%;Tc为着色态下的透光率,%。AOD越大,说明褪色态与着色态下薄膜可见光透过率反差越明显,从而说明薄膜对光的调制效果更好。图2(b)显示了不同热处理温度下所得WO。
薄膜的AOD变化情况。由图可知,热处理温度影响薄膜的AOD。320℃时的AOD明显低于240℃、280℃时。由此可知,结晶将急剧地减弱样品的电致变色性能。薄膜的电致变色光性能在温度增高时减弱,即结晶化程度增加,变色性能变差,这一结论与已有的类似文献相符[1⋯。这主要是由于非晶态WO。薄膜疏松多孔,具有很多通道,有利于离子注入,反之晶态WO。薄膜,结构越致密,薄膜的表面及内部通道就越闭合,不利于离子的注入,造成薄膜随着热处理温度的增高,结晶度增加而变色性能降低。
2.3退火温度对w03薄膜响应速度的影响
变色响应时间是指通电后,电致变色薄膜完成着色或褪色所需的时间。通过电化学工作站,采用双电位阶跃计时电流法测得电流一时间(I-t)关系曲线。280℃下退火的WO。薄膜计时电流曲线如图3所示。由图可知,着色和褪色在动力学上是不对称的过程,着色时间要比褪色时间长,这是因为当离子/电子双注入时,受到了电色电极和电解质界面势垒的限制,而当离子/电子双抽出时,受电色电极内空间电荷层的限制。由于所受的限制不同,造成了有差异的着色/褪色响应特性。
表1列出了不同退火温度下WO。薄膜的着一褪色时间。由表可知,随着温度升高,WO。薄膜着一褪色时间延长。经320℃退火处理后,WO。薄膜的着一褪色响应时间分别为2.76s和1.30s。这主要是由于非晶态WO。薄膜疏松多孔,具有很多通道,有利于离子注入,所以变色响应速度要快,晶态WO。薄膜结构致密,反而不利于离子的注入和抽出,所以响应时间延长。
2.4退火温度对WO,薄膜循环稳定性的影响
不同退火温度下薄膜前10次的CV曲线如图4所示。由图可知,薄膜的循环稳定性很好,在10次循环后,基本上都达到了稳定。随着处理温度的升高,从240℃到280℃,再到320℃,薄膜的循环稳定性越来越好。320℃处理后,薄膜的CV曲线在第3圈时已达到了稳定。这主要是因为热处理温度越高,膜的孔隙率就越小,规则程度越高,致使膜的耐腐蚀性增强,膜和基体的结合力增强。
3 结语
以金属钨粉和30%H:O:为原料,采用过氧化聚钨酸法制备WO。溶胶,在ITO导电玻璃基体上采用旋涂法成功制备出wO。薄膜。TG和XRD分析结果表明制备非晶态WO。薄膜的热处理温度应低于320℃。在240~320℃范围内,随着热处理温度升高结晶度加大。320℃时薄膜的光密度变化量明显低于240℃和280℃,结晶将急剧地减弱薄膜的电致变色性能。而随着热处理温度升高,WO。薄膜着一褪色时间延长,薄膜的循环稳定性越来越好。经320℃退火处理的wo。薄膜形成晶态,稳定性好,此时该电致变色薄膜的着一褪色响应时间分别为2.76s和1.30s。

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